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高頻數據載體(13.56 MHz)

HF(13.56 MHz)

可在:

110 版本

在工件的全程生產程序中皆有數據載體隨侍在側。同時可承受如高溫、金屬環境及環境因素等部份的極端條件。本公司的高頻數據載體能承受此類型環境下的高度要求。您可從巴魯夫廣泛的產品組合中找到因應各種情況的合適產品。

特點

  • 被動式數據載體:已以電感式將數據及必要的能源與讀寫頭接合
  • 所有的數據載體皆具備一組單值的識別號碼(獨特辨識值,Unique ID),該組號碼僅可讀取無法變更
  • 符合 ISO 15693 標準可應用於全世界
  • 高達 992 位元組記憶容量的 EEPROM 數據載體
  • FRAM 數據載體具備高達 128 kByte 的記憶容量與幾乎無限制的寫入週期
  • 以黏接或使用螺絲的方式進行安裝
  • 高達標稱 IP68/69K 的高等防護等級
  • 具有極為不同的特質,例如安裝在金屬上、高溫環境下等。
  • 適用時間緊迫的應用:巴魯夫高速數據載體,最高比 ISO 15693 快上八倍
  • 特殊的角落型數據載體適用傳輸系統,可由雙面讀寫
  • 可選購小尺寸的數據載體
  • 螺絲型資料載體可直接固定在物件上,並可快速地再度拆下

110 版本

訂購代碼 價格 外殼材質 尺寸 UID 序號,僅可讀取 記憶體類型 使用者數據,讀/寫 環境溫度 倉儲溫度
行動

BIS003Y

BIS M-101-01/L
79.73 CNY 環氧玻璃纖維,GF Ø 30 x 1 mm 4 Byte EEPROM 752 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS0042

BIS M-105-02/A
300.68 CNY 環氧玻璃纖維,GF Ø 11.98 x 6 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS0043

BIS M-108-02/L
307.28 CNY PBT,GF 32 x 11 x 52 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS0044

BIS M-110-02/L
91.28 CNY PA 6 Ø 20 x 2.8 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...85 °C -25...85 °C

BIS0045

BIS M-111-02/L
92.93 CNY PA 6 Ø 30 x 2.8 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...85 °C -25...85 °C

BIS0046

BIS M-112-02/L
94.5 CNY PA 6 Ø 50 x 3.3 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...85 °C -25...85 °C

BIS0048

BIS M-122-01/A
170.4 CNY PA 12,PU 灌封膠 Ø 10 x 4.5 mm 4 Byte EEPROM 752 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS004A

BIS M-122-02/A
196.43 CNY PA 12,PU 灌封膠 Ø 10 x 4.5 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS004F

BIS M-150-02/A
204.75 CNY PPS,GF40,含 EP 灌封膠 22 x 6.5 x 40 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C

BIS004H

BIS M-151-02/A
204.75 CNY PPS,GF40,含 EP 灌封膠 22 x 6.5 x 40 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C