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高頻數據載體(13.56 MHz)

HF(13.56 MHz)

可在:

110 版本

在工件的全程生產程序中皆有數據載體隨侍在側。同時可承受如高溫、金屬環境及環境因素等部份的極端條件。本公司的高頻數據載體能承受此類型環境下的高度要求。您可從巴魯夫廣泛的產品組合中找到因應各種情況的合適產品。

特點

  • 被動式數據載體:已以電感式將數據及必要的能源與讀寫頭接合
  • 所有的數據載體皆具備一組單值的識別號碼(獨特辨識值,Unique ID),該組號碼僅可讀取無法變更
  • 符合 ISO 15693 標準可應用於全世界
  • 高達 992 位元組記憶容量的 EEPROM 數據載體
  • FRAM 數據載體具備高達 128 kByte 的記憶容量與幾乎無限制的寫入週期
  • 以黏接或使用螺絲的方式進行安裝
  • 高達標稱 IP68/69K 的高等防護等級
  • 具有極為不同的特質,例如安裝在金屬上、高溫環境下等。
  • 適用時間緊迫的應用:巴魯夫高速數據載體,最高比 ISO 15693 快上八倍
  • 特殊的角落型數據載體適用傳輸系統,可由雙面讀寫
  • 可選購小尺寸的數據載體
  • 螺絲型資料載體可直接固定在物件上,並可快速地再度拆下

110 版本

訂購代碼 Price 外殼材質 尺寸 UID 序號,僅可讀取 記憶體類型 使用者數據,讀/寫 環境溫度 倉儲溫度
檢視

BIS003Y

BIS M-101-01/L
382.54 TWD 環氧玻璃纖維,GF Ø 30 x 1 mm 4 Byte EEPROM 752 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS003Z

BIS M-102-01/L
395.78 TWD 環氧玻璃纖維,GF Ø 50 x 1 mm 4 Byte FRAM 752 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS0040

BIS M-105-01/A
1273.88 TWD 環氧玻璃纖維,GF Ø 11.98 x 6 mm 4 Byte EEPROM 752 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS0042

BIS M-105-02/A
1443.2 TWD 環氧玻璃纖維,GF Ø 11.98 x 6 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS0043

BIS M-108-02/L
1475.08 TWD PBT,GF 32 x 11 x 52 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS0044

BIS M-110-02/L
438.01 TWD PA 6 Ø 20 x 2.8 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...85 °C -25...85 °C

BIS0045

BIS M-111-02/L
445.88 TWD PA 6 Ø 30 x 2.8 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...85 °C -25...85 °C

BIS0046

BIS M-112-02/L
453.74 TWD PA 6 Ø 50 x 3.3 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...85 °C -25...85 °C

BIS0047

BIS M-120-01/L
336.58 TWD PVC 54 x 0.76 x 85.6 mm 4 Byte EEPROM 752 Byte -25...70 °C -25...70 °C

BIS0048

BIS M-122-01/A
818.06 TWD PA 12,PU 灌封膠 Ø 10 x 4.5 mm 4 Byte EEPROM 752 Byte -25...70 °C -25...85 °C