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高頻數據載體(13.56 MHz)

HF(13.56 MHz)

可在:

125 版本

在工件的全程生產程序中皆有數據載體隨侍在側。同時可承受如高溫、金屬環境及環境因素等部份的極端條件。本公司的高頻數據載體能承受此類型環境下的高度要求。您可從巴魯夫廣泛的產品組合中找到因應各種情況的合適產品。

特點

  • 被動式數據載體:已以電感式將數據及必要的能源與讀寫頭接合
  • 所有的數據載體皆具備一組單值的識別號碼(獨特辨識值,Unique ID),該組號碼僅可讀取無法變更
  • 符合 ISO 15693 標準可應用於全世界
  • 高達 992 位元組記憶容量的 EEPROM 數據載體
  • FRAM 數據載體具備高達 128 kByte 的記憶容量與幾乎無限制的寫入週期
  • 以黏接或使用螺絲的方式進行安裝
  • 高達標稱 IP68/69K 的高等防護等級
  • 具有極為不同的特質,例如安裝在金屬上、高溫環境下等。
  • 適用時間緊迫的應用:巴魯夫高速數據載體,最高比 ISO 15693 快上八倍
  • 特殊的角落型數據載體適用傳輸系統,可由雙面讀寫
  • 可選購小尺寸的數據載體
  • 螺絲型資料載體可直接固定在物件上,並可快速地再度拆下

125 結果

訂購代碼 尺寸 UID 序號,僅可讀取 記憶體類型 使用者數據,讀/寫 環境溫度 倉儲溫度
檢視

BIS01ET

BIS M-120-04/L
54 x 0.76 x 85.6 mm 16 Byte EEPROM 256 Byte -25...70 °C -25...50 °C

BIS01EW

BIS M-132-10/L-HT-SA4
27 x 36 mm 4 Byte EEPROM 736 Byte -40...85 °C

BIS01EK

BIS M-143-02/A-M8-GN-SA2
Ø 22 x 21 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte 0...70 °C 0...70 °C

BIS01C3

BIS M-143-02/A-T10-YE
8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C

BIS01F1

BIS M-152-22/A
Ø 4 x 21.7 mm 8 Byte EEPROM 316 Byte -25...85 °C

BIS01CE

BIS M-107-03/L
Ø 16 x 3 mm 8 Byte EEPROM 112 Byte -25...85 °C

BIS01AR

BIS M-115-07/A
25 x 3 x 65 mm 8 Byte EEPROM 992 Byte -25...50 °C -30...60 °C

BIS01EP

BIS M-132-10/L-HT-SA3
27 x 54.4 mm 4 Byte EEPROM 736 Byte -40...85 °C

BIS01CW

BIS M-117-02/A
Ø 6 x 4 mm 8 Byte FRAM 2000 Byte -25...70 °C -25...85 °C

BIS01EA

BIS M-127-20/A-SA2
33.4 x 28 x 60 mm 8 Byte FRAM 8192 Byte -25...70 °C -25...85 °C